[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510388855.0 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105161534A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;萧寒;李妍月;唐亚超;甘志;梁坤元;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N-外延层，第一碳化硅N-外延层中的埋介质槽，第二碳化硅N-外延层，位于第二碳化硅N-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P+接触区和N+源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质。本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅VDMOS器件，包括自下而上依次设置的金属漏电极(12)、N+衬底(11)、第一N‑外延层(10)和第二N‑外延层(8)；所述第二N‑外延层(8)上层一端具有第一Pbase区(7)，其上层另一端具有第二Pbase区(71)；所述第一Pbase区(7)中具有相互独立的第一N+源区(6)和第一P+接触区(5)；所述第二Pbase区(71)中具有相互独立的第二N+源区(61)和第二P+接触区(51)；所述第一N+源区(6)和第一P+接触区(5)上表面具有第一金属源电极(3)；所述第二N+源区(61)和第二P+接触区(51)上表面具有第二金属源电极(31)；所述第一金属源电极(3)和第二金属源电极(31)之间具有栅极结构；所述栅极结构由栅氧化层(4)、位于栅氧化层(4)上表面的多晶硅栅(2)和位于多晶硅栅(2)上表面的栅电极(1)构成；所述第一N‑外延层(10)中具有埋介质槽(9)，所述埋介质槽(9)位于第一Pbase区(7)和第二Pbase区(71)之间的第二N‑外延层(8)下表面。
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