[发明专利]一种PMOS管衬底切换电路有效
| 申请号： | 201510392353.5 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105049029B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈建兴 | 申请（专利权）人： | 上海巨微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PMOS管衬底切换电路，所述PMOS管衬底切换电路至少包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、弱下拉器件、第一电压输入端、第二电压输入端以及衬底电压输出端；所述第一PMOS管的漏端与第二PMOS管的漏端连接至衬底电压输出端；所述第一PMOS管的栅端与第三PMOS管的漏端相连，并通过所述弱下拉器件与地连接；所述第一PMOS管的源端、第二PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端均与所述第一电压输入端相连；所述第二PMOS管的源端和第三PMOS管的源端均与所述第二电压输入端相连。利用本发明的PMOS管衬底切换电路，简洁有效的实现了PMOS管衬底电压的切换，同时可以防止反向倒灌电流，节省芯片面积和成本，提高电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmos 衬底 切换 电路 | ||
【主权项】：
一种PMOS管衬底切换电路，其特征在于，所述PMOS管衬底切换电路至少包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、弱下拉器件、第一电压输入端、第二电压输入端以及衬底电压输出端；所述第一PMOS管的漏端与第二PMOS管的漏端连接至衬底电压输出端；所述第一PMOS管的栅端与第三PMOS管的漏端相连，并通过所述弱下拉器件与地连接；所述第一PMOS管的源端、第二PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端均与所述第一电压输入端相连；所述第二PMOS管的源端和第三PMOS管的源端均与所述第二电压输入端相连。
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