[发明专利]一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510392607.3 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN105037761A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王军;谢盼云;唐荣;陈沛丞;苟君 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08K3/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于热释电薄膜材料领域和太赫兹探测领域，提供一种具有β晶相的聚偏氟乙烯(PVDF)纳米薄膜的制备方法，首先将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中，超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液；再将制膜溶液静置脱泡；再采用旋涂法制备湿膜；最后在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶，即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。本发明一方面通过掺杂GO提高PVDF中β晶相的含量，另一方面采用旋涂工艺制备PVDF纳米薄膜；制备工艺简单易于控制、设备要求低、成本低廉，能在普通大气条件下制备，制备的PVDF薄膜均匀、平整、致密性好、热释电性能稳定，为薄膜材料热释电太赫兹探测器的研制提供有力支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 聚偏氟 乙烯 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1.将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中，超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液，其中氧化石墨烯、聚偏氟乙烯及有机溶剂的质量百分比组成为：氧化石墨烯：0.1‑1wt％，聚偏氟乙烯：5‑10wt％，有机溶剂：89‑94wt％；步骤2.将制膜溶液静置脱泡；步骤3.采用旋涂法制备湿膜；步骤4.在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶，即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。
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