[发明专利]可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

摘要

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物定义区上并与PMOS选择晶体管串联；PMOS浮动栅极晶体管包括一浮动栅极；存储器P型阱区位于半导体衬底中；存储器N型阱区位于存储器P型阱区中；存储器P型阱区与第一氧化物定义区及第二氧化物定义区重叠；存储器P型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度深；存储器N型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度浅。

主权项

1.一种单层多晶硅非易失性存储单元，其特征在于，包括：一半导体衬底；一第一氧化物定义区及一第二氧化物定义区；一隔离区域分隔所述第一氧化物定义区及所述第二氧化物定义区，且所述隔离区域具有一沟渠深度；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化物定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管设于所述第一氧化物定义区上并与所述PMOS选择晶体管串联，其中所述PMOS浮动栅极晶体管包括一覆盖在所述第一氧化物定义区上的一浮动栅极；一存储器P型阱区位于所述半导体衬底中，其中所述存储器P型阱区与所述第一氧化物定义区及所述第二氧化物定义区重叠，且其中所述存储器P型阱区的接合深度大于所述隔离区域的所述沟渠深度，其中所述存储器P型阱区在所述第一氧化物定义区及所述第二氧化物定义区之间具有一连续阱结构；一存储器N型阱区位于所述存储器P型阱区中，其中所述存储器N型阱区仅与所述第一氧化物定义区重叠，且其中所述存储器N型阱区的接合深度小于所述隔离区域的所述沟渠深度；以及一N+掺杂区设于所述存储器N型阱区。