[发明专利]相变化记忆体的制备方法有效
| 申请号： | 201510394649.0 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105098069B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 苏水金 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一加热材料层于一介电层上，接着形成一第一罩幕层于加热材料层上，之后再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。然后图案化加热材料层、第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分第一罩幕层，以暴露部分加热材料层。在移除第二罩幕层后，以第一罩幕层为遮罩，移除暴露的部分加热材料层以形成一加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变化记忆体的制备方法，其特征在于，包含：形成一加热材料层于一介电层上；形成一第一罩幕层于该加热材料层上；形成一第二罩幕层于该第一罩幕层上；图案化该加热材料层、该第一罩幕层与该第二罩幕层，以暴露该第一罩幕层的一侧面；自该第一罩幕层的该侧面处移除部分该第一罩幕层，以暴露部分该加热材料层；移除该第二罩幕层；以及以该第一罩幕层为遮罩，移除暴露的部分该加热材料层以形成一加热器。
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