[发明专利]一种DSOI应变计及其制作方法有效
| 申请号： | 201510395248.7 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105091730B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;罗小勇;梁栋汉 | 申请（专利权）人： | 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 529100 广东省江门市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DSOI应变计及其制作方法，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。该结构减少了电泄漏，提高了传感器的工作温度范围，同时衬底层底部的绝缘膜基底把整个应变计连成一片，既保证了电阻敏感栅中电阻条的相对位置不发生变化，减小全桥电路的失调电压，又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层、弹性膜接触，提高了应变计与弹性膜之间的绝缘耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dsoi 应变 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种DSOI应变计，其特征在于：包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，所述器件薄膜层的外形与衬底层的外形相一致，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。
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