[发明专利]一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 201510395922.1 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104944412A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 潘春旭;罗成志;廖蕾;万达 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400-1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5-300min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。本发明利用浮动催化剂化学气相沉积法（CVD）制备单壁碳纳米管的过程中引入磁场可以选择性地制备半导体性单壁碳纳米管。该方法具有工艺简单、操作容易、成本低、产物质量高、含量高、可控性好，以及可进行大规模生产等优点，是一种“原位”制备半导体性单壁碳纳米管的理想方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 性单壁碳 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体以排尽石英管内的空气；(2)将石英管加热至400‑1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5‑300min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510395922.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种点火药及制备方法
- 下一篇：羟基磷灰石微球的制备方法
