[发明专利]一种衬底修饰的化学气相沉积生长大尺寸单层二硫化钼薄膜的方法

摘要

本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、生长时间、气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明能够在原有生长化学气相沉积设备的基础上、在相对较低的生长温度条件下、高效的生长大尺寸单层二硫化钼薄膜。本发明提供的大尺寸单层二硫化钼的生长方法适用于结构类似二维半导体材料，如大尺寸单层二硫化钨、二硒化钼和二硒化钨等的生长。

主权项

一种衬底表面修饰的化学气相沉积生长大尺寸单层二硫化钼薄膜的方法，其特征是包括如下步骤：1)在硫化氨溶液中，对外延生长衬底进行表面修饰，使得衬底表面形成一层化学成键的硫化层；2)在持续通入保护气体的加热炉中，对放入其中的步骤1)中所述表面修饰后的衬底退火，消除表面多余的硫单质；3)采用化学气相沉积法在步骤2)中所述退火的基底表面上生长二硫化钼薄膜，即得到所述大尺寸单层二硫化钼薄膜；所述退火处理的退火温度为100‑500℃，退火时间为10min‑60min。