[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备

摘要

本发明的实施例提供一种半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备。该半导体装置包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二杂质区域的表面上。

主权项

1.一种半导体装置，包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一高浓度杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一高浓度杂质而形成；第二高浓度杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二高浓度杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二高浓度杂质区域的表面上，其中，在形成第一高浓度杂质区域的过程中，没有碰撞效应发生在不形成硅化物层的所述第一区域中。