[发明专利]一种数字光电倍增器件有效
申请号: | 201510397057.4 | 申请日: | 2015-07-08 |
公开(公告)号: | CN105047517B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | N·达申佐;V·萨维里耶夫;王麟;谢庆国 | 申请(专利权)人: | 武汉京邦科技有限公司 |
主分类号: | H01J43/04 | 分类号: | H01J43/04;H01L31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种数字半导体光电倍增影像传感器,包括一数字半导体光敏像素阵列,用于进行光子的探测;一地址单元,地址单元与每一数字半导体光敏像素单元通信连接以确定每一数字半导体光敏像素单元在阵列中的地址信息;一控制单元,控制单元与地址单元通信连接以用于指定地址的数字半导体光敏像素单元选通以及相应数据及地址输出指令的发送;以及一输出单元,输出单元与每一数字半导体光敏像素单元通信连接以在指定地址的数字半导体光敏像素单元选通后,传输数字半导体光敏像素单元发出的数据及相应的地址信息。该传感器不仅可以输出有无探测到光子的信息,还可以输出该探测到的光子的位置信息,因此可广泛用于数字光电成像系统。 | ||
搜索关键词: | 一种 数字 光电 倍增 器件 | ||
【主权项】:
一种数字半导体光敏像素单元,其特征在于:包括雪崩击穿光敏像素单元以及对应所述雪崩击穿光敏像素单元设置的一甄别单元以及一存储单元,所述雪崩击穿光敏像素单元的电源输入端与电源使能控制信号端相连以接受电源使能控制信号的控制使其在静默状态与响应状态之间切换,所述雪崩击穿光敏像素单元的信号输出作为所述甄别单元的输入以使得与所述甄别单元对应所述雪崩击穿光敏像素单元的响应状态分别输出判断未检测到光子的第一数值或判断检测到光子的第二数值;所述甄别单元的输出作为所述存储单元的输入以记录并存储所述第一数字值或所述第二数字值;所述雪崩击穿光敏像素单元包括:一半导体衬底;于所述半导体衬底上所生成的一外延层;于所述外延层内形成一用于光子探测的雪崩光电二极管,所述雪崩光电二极管包括漂移区域和放大区域;以及一淬灭单元,所述淬灭单元与所述雪崩光电二极管串联连接。
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