[发明专利]一种有机半导体元件结构与其制作方法在审
| 申请号： | 201510401205.5 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105161620A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 高启仁;王怡凯;胡堂祥 | 申请（专利权）人： | 广州奥翼电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/40;H01L51/44;H01L51/48;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 王会龙 |
| 地址： | 511458 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机半导体元件结构及其制作方法，其中该有机半导体元件结构包括基板，形成在基板上的源极电极、漏极电极、栅极电极；在所述源极电极、漏极电极上设置有保护层，所述保护层上设置有机半导体层，所述保护层和有机半导体层完全覆盖所述源极电极和漏极电极，在所述栅极电极与源极电极、漏极电极之间设置有栅极绝缘层。本发明利用黄光制程和图形化技术形成有机半导体元件结构，以生产具有一致特性的并具有到源极电极和漏极电极的低栅极电极漏电的结构，由于电极接口经由材料保护避免氧化，大幅降低电极接口接触电阻的问题产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机半导体 元件 结构 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种有机半导体元件结构，包括基板，形成在基板上的源极电极、漏极电极、栅极电极；其特征在于：在所述源极电极、漏极电极上设置有保护层，所述保护层上设置有机半导体层，所述保护层和有机半导体层完全覆盖所述源极电极和漏极电极，在所述栅极电极与源极电极、漏极电极之间设置有栅极绝缘层。
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