[发明专利]一种静电保护电路

摘要

本发明涉及电路电子技术领域，具体涉及一种静电保护电路，通过构建一包括触发模块、电流产生单元和SCR模块的静电保护电路，当VDD有正的ESD脉冲时，RC耦合效应使第一NMOS管的栅极变为高电平，产生从VDD到第一PMOS管、第一NMOS管到GND的第一电流，第二PMOS管导通，产生第二电流，使NPN三极晶体管开启，NPN三极晶体管的集电极电流流经第一电阻使得PNP三极晶体管的发射极‑基极正偏，PNP三极晶体管开启，此正反馈效应使得PNP三极晶体管、NPN三极晶体管形成的SCR开启放电。本技术方案的触发电压低、响应速度快，电路仅需很小的尺寸就可以实现非常好的ESD保护性能。

主权项

1.一种静电保护电路，其特征在于，所述电路包括：SCR模块，包括串联连接的第一电阻、NPN晶体管和串联连接的PNP晶体管、第二电阻，所述第一电阻的一端连接到第一参考电压，所述第一电阻的与所述一端相对的另一端与PNP晶体管的基极共同连接到NPN晶体管的集电极，所述第二电阻的一端连接到第二参考电压，所述第二电阻的相对于与所述一端的另一端与NPN的基极共同连接到PNP晶体管的集电极，以及所述NPN晶体管的发射极连接到第二参考电压，所述PNP的发射极连接到第一参考电压；触发模块，提供触发信号；电流产生单元，在接收到所述触发信号时提供一个预设电流；其中当施加在第一参考电压上的ESD静电脉冲在触发所述触发模块产生触发信号时，电流产生单元产生的预设电流流经第二电阻，藉此在第二电阻上产生压降从而使NPN晶体管导通并进一步使PNP晶体管导通来触发SCR导通，以此释放ESD静电来稳定该第一参考电压；所述电流产生单元包括串联在第一参考电压和第二参考电压之间第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，以及与所述第一PMOS晶体管构成电流镜的第二PMOS晶体管；其中所述第二PMOS晶体管与NPN晶体管的基极之间连接有一个第四电阻，第一NMOS晶体管的栅极接收低电平的所述触发信号时所述第一NMOS晶体管和所述第一PMOS晶体管导通，产生流经所述第二PMOS晶体管的所述预设电流。