[发明专利]IGBT子模组单元及其封装模块

摘要

本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。

主权项

1.一种压接型IGBT封装模块，其包括：多个IGBT子模组单元，每个IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件；封装壳体，其包括顶部、磁环和底部，所述顶部和底部的边缘分别与所述磁环的上下开口接合，所述顶部与所述集电极钼片另一面接触；多个发射极凸台，所述发射极凸台设置在所述封装壳体底部上，所述安装底座通过所述卡接部件卡接在所述发射极凸台上，所述发射极凸台与所述发射极钼片另一面接触；PCB电路板，其设置在多个所述发射极凸台之间的间隙内，所述PCB电路板上设计有辅助发射极线路，所述第一导电件另一端穿过所述第二孔洞与所述辅助发射极线路接触；所述PCB电路板上设置有：辅助发射极端子，其与所述辅助发射极线路连接；多个所述IGBT芯片的发射极与所述辅助发射极端子之间的线路路径距离相等，使得多个所述IGBT芯片之间辅助发射极回路的杂散参数一致。