[发明专利]相变化存储装置及其制造方法

摘要

一种相变化存储装置及制造方法是部分移除导电材料以使加热器的内径往相变化材料端逐渐缩小，进而使加热器与相变化材料间的接触面积较小。依据此结构，以较小的电流即能够改变小范围相变化材料的结晶态，因此可降低装置的功耗，且可避免产生空洞的缺陷以提升装置的可靠度。

主权项

一种相变化存储装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，其包含一存取电路，其中该存取电路包含至少一个导电接点；形成多个导电结构于该基板上，其中该导电结构与该导电接点电性连接，该导电结构包含一导电材料以及一屏障层，且该屏障层包围该导电材料的一侧面以及一底面；部分移除该屏障层，使该屏障层的顶表面低于该导电材料的顶表面；部分移除该导电材料，使曝露出来的该导电材料的内径由该导电材料的该底面往该导电材料的顶表面逐渐缩小；形成一第二介电层以覆盖该导电材料；以及薄化该第二介电层，使该导电材料曝露出来；其中部分移除该导电材料的步骤包含：形成一遮罩覆盖该屏障层以及该导电材料；进行一第一移除步骤，以部分移除该遮罩以形成一遮罩开口，其中该遮罩开口的一顶部内径大于该遮罩开口的一底部内径，使该遮罩开口的内壁成一斜面，该遮罩开口的该顶部涵盖二个相邻该导电材料，且该遮罩覆盖该导电材料；以及进行一第二移除步骤，以部分移除该遮罩并同时部分移除该导电材料。