[发明专利]一种具有替换行或列的MRAM芯片及替换、读写方法在审
| 申请号： | 201510405588.3 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105609129A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，每个阵列包括多个替换行或列，替换行或列用于替换具有坏MRAM存储单元的行或列。本发明提供上述MRAM芯片的替换、读写方法。本发明提供的具有替换行或列的MRAM芯片及替换、读写方法，使用替换行或列来替换具有坏MRAM存储单元的行或列，能够在相同的坏存储单元概率下，大幅度提高MRAM芯片的合格率，从而降低MRAM芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 替换 mram 芯片 读写 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，其特征在于，每个所述阵列包括多个替换行或列，所述替换行或列用于替换具有坏MRAM存储单元的行或列。
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