[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510407800.X | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105070706B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木进也;幕田喜一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件。特别是提供一种在构成LCD驱动器的长方形形状的半导体芯片中，通过改进短边方向的平面配置方案以缩短半导体芯片尺寸的技术。具体是：构成LCD驱动器的半导体芯片CHP2中，多个输入保护电路3a～3c布置在多个输入用突起电极IBMP中的一部分输入用突起电极IBMP的下层。另一方面，在多个输入用突起电极IBMP中的其他的输入用突起电极IBMP的下层不配置输入保护电路3a～3c，而是配置有SRAM2a～2c(内部电路)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：(a)具有一对长边和一对短边的大致矩形形状的半导体衬底；(b)沿长边方向排列的多个内部电路，每个内部电路包括形成在所述半导体衬底之上的多个MISFET；(c)多个二极管，形成在所述半导体衬底之上，各个所述多个二极管被构成为保护所述内部电路免遭静电破坏的保护电路；(d)第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底之上以覆盖所述多个MISFET和所述多个二极管；以及(e)多个突起电极，形成在所述第一绝缘膜之上，所述多个突起电极沿所述一对长边的第一长边配置，其中，所述多个突起电极是用于从外部器件接收输入信号的突起电极，其中，各个所述多个二极管被电连接在各个所述多个突起电极和所述内部电路之间，其中，所述多个二极管包括第一二极管和第二二极管，其中，与第一突起电极中的一部分第一突起电极电连接的第一二极管配置在与所述一部分第一突起电极平面重合的位置；其中，与所述第一突起电极中的另一部分第一突起电极电连接的第二二极管配置在和与所述另一部分第一突起电极平面重合的位置不同的位置；并且其中所述多个二极管配置于在沿长边方向排列的内部电路之间的空间里。
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