[发明专利]分割薄半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201510408614.8 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105269146B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 范·德·斯塔姆·卡雷尔·梅科尔·理查德;克尼佩斯·圭多·马蒂纳斯·亨里克斯;米勒·马克·克里斯蒂安;贝茨·于尔根·罗兰 | 申请（专利权）人： | 先进科技新加坡有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/06 | 分类号： | B23K26/06;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/064;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司11214 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 新加坡2*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种使用激光能量分割多个集成器件的方法，该多个集成器件包含在半导体衬底中，该方法包含有以下步骤将第一激光束投射在沿着衬底分布的切割线上，以烧蚀衬底沿着待分割的切割线分布的局部，该被烧蚀的衬底的局部相邻于已被分割的衬底的切割线处形成有重塑材料；以及将第二激光束投射在衬底相邻于切割线的另一个局部，以对相邻于切割线所形成的重塑材料进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种使用激光能量分割多个集成器件的方法，该多个集成器件包含在半导体衬底中，该方法包含有以下步骤：将激光源产生的第一激光束投射在沿着衬底分布的切割线上，以烧蚀衬底沿着待分割的切割线分布的局部，该被烧蚀的衬底的局部相邻于已被分割的衬底的切割线处形成有重塑材料；以及将激光源产生的复数个第二激光束投射在衬底相邻于切割线的另一个局部，以对在切割线的第一侧相邻于切割线所形成的重塑材料进行热处理；其中，对重塑材料进行热处理的复数个第二激光束各自具有的能级都低于第一激光束的能级；将由激光源产生的复数个第三激光束投射在位于切割线和复数个第二激光束投射第一侧相对的第二侧的、相邻于切割线的衬底的局部，以便于在切割线的两侧进行所形成的重塑材料的热处理。
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