[发明专利]包含嵌段共聚物的自组装结构和膜以及通过旋涂法(IIIa)制备它们的方法有效

专利信息
申请号: 201510409857.3 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN105273214B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: K·A-H·H·艾默;S·史 申请(专利权)人: 帕尔公司
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C09D153/00;C03C17/32;C04B41/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 汪宇伟
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了由式(I)的自组装性嵌段共聚物形成的自组装结构:其中,R1‑R4、n和m如本发明所述,其用于制备纳米多孔膜。在自组装结构的实施方式中,嵌段共聚物自组装成圆柱形形态。还公开了制备这类自组装结构的方法,涉及旋涂含有二嵌段共聚物的聚合物溶液,获得薄膜,随后通过溶剂使薄膜退火。进一步公开了由自组装结构制备多孔膜的方法。
搜索关键词: 自组装结构 制备 嵌段共聚物 式( I ) 自组装 薄膜 退火 二嵌段共聚物 聚合物溶液 纳米多孔膜 多孔膜 旋涂法 溶剂 旋涂
【主权项】:
1.一种制备包含式(I)的二嵌段共聚物的自组装结构的方法:其中:R1是式-(CHR-CH2-O)p-R’的聚(氧化亚烷基)基团,其中p=2-6,R是H或甲基,以及R’是氢、C1-C6烷基或者C3-C11环烷基;R2是C6-C20芳基或杂芳基,可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代;R3和R4之一是C6-C14芳基,可选地被选自羟基、卤素、氨基以及硝基的取代基所取代,以及R3和R4的另一个是C1-C22烷氧基,可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基以及杂环基的取代基所取代;n和m独立地是10至2000;其中带有R1的单体的体积分数与带有R2单体的比为15:85至30:70;该方法包含:(i)将二嵌段共聚物溶解于溶剂体系中以获得聚合物溶液;(ii)将聚合物溶液旋涂到基材上;(iii)将(ii)中所得涂层退火以获得自组装结构;以及,可选地,(iv)洗涤(ii)中所得自组装结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于帕尔公司,未经帕尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510409857.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top