[发明专利]用于薄膜晶体管的铝基板在审
申请号: | 201510409901.0 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN105070721A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | T·L·莱文达斯基;K·沙;M·格雷戈里;J·S·范布鲁克霍芬;M·K·哈塔利斯 | 申请(专利权)人: | 美铝公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于薄膜晶体管的铝基板。一种由再结晶铝合金构成的基板。有机聚合物层涂覆在该铝基板的顶表面。SiO2、SiN和Al2O3之一的层位于该有机聚合物上并且至少一个电极附着于该SiO2、SiN和Al2O3之一的层。一种方法,该方法包括在铝基板上沉积有机聚合物,退火该铝基板;在该有机聚合物上沉积SiO2、SiN和Al2O3之一的层;以及将电极附着于该SiO2、SiN和Al2O3之一的层。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜晶体管 铝基板 | ||
【主权项】:
—种器件,包括:a.由再结晶铝合金构成的基板;b.位于该铝基板的顶表面上的有机聚合物;c.位于该有机聚合物上的SiO2、SiN和Al2O3之一的层;以及d.至少一个电极,其附着于所述SiO2、SiN和Al2O3之一的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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