[发明专利]一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品有效
申请号: | 201510410477.1 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN105140252B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 冯光建;张文奇;戴风伟;宋崇申;薛恺 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 曹祖良,涂三民 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品,它包括以下步骤将图像传感器芯片的上表面和信号处理芯片的下表面键合在一起;对图像传感器芯片的下表面进行减薄抛光,减薄抛光后在图像传感器芯片上添加彩色滤光片和微透镜,然后移除掉图像传感器芯片的切割道部分,露出信号处理芯片的切割道;取透明基板,透明基板与信号处理芯片通过支撑墙键合在一起,支撑墙位于信号处理芯片的切割道里;对信号处理芯片的上表面进行减薄抛光,减薄抛光后在信号处理芯片上做出引线和焊球;沿着信号处理芯片的切割道位置进行划片,得到可直接进行贴装的单一芯片。本发明不用任何临时键合做辅助,简化了流程。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 晶圆级 封装 方法 及其 | ||
【主权项】:
一种图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是该方法包括以下步骤:a、将图像传感器芯片(1)的上表面和信号处理芯片(2)的下表面键合在一起;b、对图像传感器芯片(1)的下表面进行减薄抛光,减薄抛光后在图像传感器芯片(1)上添加彩色滤光片(3)和微透镜(4),然后移除掉图像传感器芯片(1)的切割道部分,露出信号处理芯片(2)的切割道;c、取透明基板(5),透明基板(5)与信号处理芯片(2)通过支撑墙(6)键合在一起,支撑墙(6)位于信号处理芯片(2)的切割道里;d、对信号处理芯片(2)的上表面进行减薄抛光,减薄抛光后在信号处理芯片(2)上做出引线(7)和焊球(8);e、沿着信号处理芯片(2)的切割道位置进行划片,得到可直接进行贴装的单一芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510410477.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的