[发明专利]TFT基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板结构及其制作方法，通过在非晶硅层上形成金属氧化物半导体层代替N型重掺杂层，非晶硅层与金属层间的势垒较小，可形成欧姆接触，提高电流效率，无需再掺杂其它离子形成N型重掺杂层，并且由于金属氧化物半导体层中有很多抓空穴的缺陷，在TFT工作过程中即使栅极施加很大负压，形成空穴导电通道，空穴也很难由源/漏极通过金属氧化物半导体层及半导体层到达导电通道，改善了传统TFT基板结构的空穴导电区的漏电问题，同时改善了空穴电流翘曲严重，信赖性差的问题。

主权项

一种TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)上覆盖所述栅极(2)的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、及设于所述有源层(4)上的第二金属层(5)；所述第二金属层(5)包括一对应于所述栅极(2)上方的第一条形通道(51)、及分别设于所述第一条形通道(51)两侧的源极(52)与漏极(53)；所述有源层(4)包括非晶硅层(41)及设于所述非晶硅层(41)上的金属氧化物半导体层(42)；所述金属氧化物半导体层(42)包括一对应于所述第一条形通道(51)的第二条形通道(421)、及设于所述第二条形通道(421)两侧且分别对应所述源、漏极(52、53)的第一、第二金属氧化物半导体段(422、423)；所述非晶硅层(41)上对应于所述第二条形通道(421)下方的位置形成沟道区(415)，所述非晶硅层(41)上位于沟道区(415)的部分经蚀刻制程，厚度小于其它区域的厚度；所述源极(52)与漏极(53)分别与所述第一金属氧化物半导体段(422)、及第二金属氧化物半导体段(423)的表面相接触，且所述源极(52)与第一金属氧化物半导体段(422)在基板(1)上分布的面积相同，所述漏极(53)与第二金属氧化物半导体段(423)在基板(1)上分布的面积相同。