[发明专利]顶栅自对准金属氧化物半导体薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种顶栅自对准金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法在衬底上淀积、刻蚀出有源区后，对整个有源区进行氩等离子体处理，在有源区上表面形成高电导率层；在淀积、刻蚀出栅电极和栅介质刻蚀之后，形成自对准的源区和漏区。氩等离子体处理可有效降低了源区和漏区表面电阻和接触电阻，同时，在沟道区上表面引入薄的高电导率层，形成双层导电沟道结构；对于源区和漏区，可以在定义出栅介质图形后进一步采用等离子体处理、快速热退火、反应离子刻蚀栅介质层过刻工艺，或者通过淀积含氢的氮化硅钝化层后退火工艺对源区和漏区进行氢掺杂的方法，提高整个源区和漏区的电导率，进一步减小源区和漏区电阻。

主权项

一种顶栅自对准金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括有源层、栅介质层、栅电极、源漏电极，所述有源层位于衬底之上，栅介质层位于有源层之上，栅电极位于栅介质层之上，其特征在于有源层为金属氧化物半导体，包含沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别位于沟道区的左侧和右侧；在淀积栅介质层之前，对整个有源层进行氩等离子体处理，等离子体处理之后，在有源层上表面形成高电导率层。