[发明专利]伪栅极结构及其方法有效
| 申请号： | 201510411909.0 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105470302B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘家助;陈桂顺;江木吉;陈昭成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在多栅极器件结构内实施伪栅极结构的结构和方法，其中包括半导体器件，该半导体器件包括将第一有源区和第二有源区分隔开的隔离区。第一有源区邻近隔离区的第一侧而第二有源区邻近隔离区的第二侧。包括源极、漏极和栅极的器件形成在第一有源区内。源极区和漏极区中的其中一个邻近隔离区设置。伪栅极至少部分地形成在隔离区上方且邻近于源极区和漏极区中邻近隔离区设置的其中那个区域。在多个实例中，栅极包括具有第一厚度的第一介电层而伪栅极包括具有大于第一厚度的第二厚度的第二介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：隔离区，将第一有源区和第二有源区分隔开，其中，所述第一有源区邻近所述隔离区的第一侧，而所述第二有源区邻近所述隔离区的第二侧；器件，包括形成在所述第一有源区内的源极区、漏极区和栅极，其中，所述源极区和所述漏极区邻近所述栅极设置且位于所述栅极的任一侧，并且所述源极区和所述漏极区的其中一个邻近所述隔离区的所述第一侧设置；以及伪栅极，至少部分地形成在所述隔离区上方，并且与邻近所述隔离区的所述第一侧的所述源极区或所述漏极区相邻，其中，所述栅极包括具有第一厚度的第一介电层，并且所述伪栅极包括具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二介电层。
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