[发明专利]超级结半导体器件有效
| 申请号： | 201510412322.1 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280688B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 禹赫;金大柄;崔彰容;姜棋太;全珖延;赵文秀;权纯琢 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种超级结半导体器件。所述超级结半导体器件包括：垂直柱区域，位于有源区上；水平柱区域，位于终止区上，其中，垂直柱区域和水平柱区域彼此连接，并且同时在终止区中整个柱区域不浮置。因此，虽然终止区的长度相对短，但是柱区域之间产生的电荷补偿差异被抵消。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件，包括：有源区；垂直柱区域，位于有源区上；第一终止区和第二终止区，围绕有源区；第一水平柱区域，位于第一终止区上；第二水平柱区域，位于第二终止区上，其中，第一水平柱区域、第二水平柱区域和垂直柱区域彼此连接。
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