[发明专利]一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法在审

专利信息
申请号: 201510412535.4 申请日: 2015-07-14
公开(公告)号: CN105036066A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 冯光建 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00;H01L27/146
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;涂三民
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法,它包括以下步骤:在保护封盖上做上呈间隔设置的光阻薄膜,相邻两片光阻薄膜之间形成间隙;将晶圆和保护封盖通过支撑墙键合在一起;在晶圆的背面即晶圆的上表面做完背部工艺,用激光对键合胶进行去粘性作业,然后将保护封盖、光阻薄膜和支撑墙取下。本发明通过增加一道镀膜工艺使封盖上面对应芯片感应区域的位置有光阻薄膜覆盖,这样后续激光去键合时这层光阻薄膜就能够有效防止激光损伤到芯片感应区域,封盖移除光阻薄膜后可以重复利用,且可以作为不同产品的封盖使用。
搜索关键词: 一种 晶圆级 封装 护封 表面 处理 方法
【主权项】:
一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法,其特征是该工艺包括以下步骤:a1、在保护封盖(1)的上表面做上呈间隔设置的光阻薄膜(2),相邻两片光阻薄膜(2)之间形成间隙;b1、在对应相邻两片光阻薄膜(2)之间的间隙内的保护封盖(1)的上表面做出支撑墙(3);c1、在支撑墙(3)的墙顶涂键合胶,将晶圆(4)的下表面和支撑墙(3)的墙顶通过键合胶键合在一起;d1、在晶圆(4)的背面做完背部工艺,用激光对键合胶进行去粘性作业,然后将保护封盖(1)连同光阻薄膜(2)和支撑墙(3)一起取下。
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