[发明专利]包括多个晶体管单元的半导体器件与制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件(100)，其包括多个晶体管单元(1001、1002)。晶体管单元(1001、1002)中的每个包括：自第一表面(104)延伸进入半导体本体(102)的漂移区(110)的沟槽(114)，漂移区(110)是第一导电类型。该半导体器件(100)还包括栅电极结构(124)。场电极结构(122)和第一介电结构(126)在沟槽(114)中。掺杂区(136)由漂移区(110)包围并且对沟槽(114)的底侧加衬。掺杂区为第一导电类型并具有低于漂移区的掺杂浓度，或为与第一导电类型互补的第二导电类型。

主权项

一种半导体器件(100)，包括多个晶体管单元(1001、1002)，每个晶体管单元(1001、1002)包括：沟槽(114)，自第一表面(104)延伸进入半导体本体(102)的漂移区(110)中，所述漂移区(110)是第一导电类型；栅电极结构(124)；在所述沟槽(114)中的场电极结构(122)和第一介电结构(126)；掺杂区(136)，由所述漂移区(110)包围并且对所述沟槽(114)的底侧加衬，其中所述掺杂区(136)为第一导电类型并具有低于所述漂移区的掺杂浓度，并且其中所述第一介电结构(126)包括位于所述沟槽(114)的相对侧壁中的每个侧壁与所述场电极结构(122)之间的场介电部(128)以及位于所述沟槽(114)的相对侧壁中的每个侧壁与所述栅电极结构(124)之间的栅介电部(132)，其中所述栅介电部(132)的厚度小于所述场介电部(128)的厚度。