[发明专利]一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构

摘要

本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构，它包括以下步骤在CIS晶圆的正面键合上负载晶圆，以负载晶圆做支撑将CIS晶圆的背面减薄，在已经减薄的CIS晶圆的背面做上滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面的边缘位置用第一粘结胶进行覆盖，在该封闭环形内用第二粘结胶进行涂布，在第二粘结胶和第一粘结胶的背面键合上封盖；以封盖做支撑将负载晶圆减薄，并在已经减薄的负载晶圆内做出导电柱，在导电柱的上端部沉积出导电层；去除第一粘结胶的粘性，使CIS晶圆和封盖分离，清洗CIS晶圆和封盖以除去第二粘结胶，最后进行切割，得到背照式图像传感器的晶圆级封装结构。本发明减小了封装片的厚度并可以使封盖重复利用。

主权项

一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺，其特征是该封装工艺包括以下步骤：a、取已经在其正面做出引线（5）和图像传感器（6）的CIS晶圆（1），在CIS晶圆（1）的正面键合上负载晶圆（2），以负载晶圆（2）做支撑将CIS晶圆（1）的背面减薄，在已经减薄的CIS晶圆（1）的背面做上滤光镜（3）和微透镜（4）；b、在CIS晶圆（1）的背面的边缘位置用第一粘结胶（7）进行覆盖，该第一粘结胶（7）在CIS晶圆（1）的背面边缘形成一个封闭环形，在该封闭环形内用第二粘结胶（8）进行涂布，且单位面积的第二粘结胶（8）的粘结力小于单位面积的第一粘结胶（7）的粘结力，在第二粘结胶（8）和第一粘结胶（7）的背面键合上封盖（9）；c、以封盖（9）做支撑将负载晶圆（2）减薄，并在已经减薄的负载晶圆（2）内做出导电柱（10），在导电柱（10）的上端部沉积出导电层（11）；d、去除第一粘结胶（7）的粘性，使CIS晶圆（1）和封盖（9）分离，清洗CIS晶圆（1）和封盖（9）以除去第二粘结胶（8），最后进行切割，得到背照式图像传感器的晶圆级封装结构。