[发明专利]具有场电极和场电介质的半导体器件有效
| 申请号： | 201510413647.1 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280713B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;M.珀尔兹尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有场电极和场电介质的半导体器件。半导体器件（500）包括场电极结构（160），其包括场电极（165）和围绕场电极（165）的场电介质（161）。场电介质（161）包括第一电介质层（161a）和具有比第一电介质层（161a）更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层（161b）。半导体主体（100）包括围绕场电极结构（160）并直接邻接第一电介质层（161a）的晶体管部分（TS）。晶体管部分（TS）包括源极区（110）、第一漂移区部分（121a）和使源极区（110）与第一漂移区部分（121a）分离的主体区（115）。主体区（115）形成与源极区（110）的第一pn结（pn1）和与第一漂移区部分（121a）的第二pn结（pn2）。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 电介质 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：场电极结构，包括场电极和和场电介质，其中所述场电介质位于所述场电极和漂移区部分之间，其中所述场电介质包括第一电介质层和具有比所述第一电介质层更小的带隙和更低的导带边缘中的至少一个的第二电介质层；以及半导体主体，包括晶体管部分，所述晶体管部分围绕所述场电极结构，直接邻接所述第一电介质层，并包括源极区、漂移区部分和使所述源极区与所述漂移区部分分离的主体区，所述主体区与所述源极区形成第一pn结并且与所述漂移区部分形成第二pn结，其中所述场电介质还包括第三电介质层，并且其中所述第二电介质层夹在所述第一电介质层和所述第三电介质层之间；栅极结构，包括栅电极和使所述栅电极与所述主体区分离的栅极电介质，其中所述栅极结构围绕所述场电极结构；其中在平行于所述半导体主体的第一表面的水平面中，所述晶体管部分夹在所述场电极结构和所述栅极结构之间。
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