[发明专利]多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510413910.7 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105070826B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;刘瑞蕊;沈波;何子芳 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用，薄膜材料的化学组成为InTe(a)‑X(a)，其中a为单层InTe薄膜和单层X薄膜的厚度，在SiO2/Si(100)衬底上，以InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5为靶材，以氩气为辉光气体，交替沉积InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5薄膜，制备得到多级相变存储用低功耗相变薄膜材料。与现有技术相比，本发明不但含有在相变存储领域比较传统的半导体材料碲(Te)，还具有可增大和稳定非晶态电阻大小的元素In，形成了高低电阻比较大。 | ||
| 搜索关键词： | 相变薄膜材料 多级相变 低功耗 薄膜 制备方法和应用 存储 单层 半导体材料 稳定非晶态 氩气 薄膜材料 高低电阻 化学组成 交替沉积 相变存储 传统的 靶材 衬底 电阻 辉光 制备 | ||
【主权项】：
1.多级相变存储用低功耗相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法，在SiO2/Si(100)衬底上，以InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5为靶材，以氩气为辉光气体，交替沉积InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5薄膜，制备得到多级相变存储用低功耗相变薄膜材料，相变薄膜材料中沉积得到的InTe薄膜和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5薄膜的厚度相同，均为20‑30nm。
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