[发明专利]一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺

摘要

本发明公开了一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺。先对不锈钢料瓶进行抛光并置于管式炉外，将氩气输入、输出管与管式炉输入管连通；将硫粉置于料瓶中；料瓶外围缠绕伴热带并与触摸屏连接；输入料瓶目标温度及加热时间；先对管式炉加热，管式炉达到设定温度后对料瓶加热，料瓶达到设定温度后，向料瓶中通入Ar气进行二硫化钼薄膜生长；生长结束后降至室温，取出样品，观察二硫化钼薄膜表面均匀性。通过采用硫源单独温控技术实现对二硫化钼薄膜生长过程中硫源温度、蒸汽压的精确控制，避免传统化学气相沉积过程中硫的提前蒸发导致的三氧化钼的提前硫化，提高了二硫化钼薄膜生长过程的可控性，从而提高了二硫化钼薄膜的均匀性。

主权项

一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺，其特征在于，该工艺有如下步骤：步骤一.对不锈钢料瓶内表面进行抛光；步骤二.将料瓶置于管式炉外，料瓶内设有氩气输入管和氩气输出管，并将氩气输入管和氩气输出管与管式炉的氩气输入管连通；步骤三.将硫粉置于料瓶中；步骤四.在料瓶的外围紧密缠绕伴热带；步骤五.将伴热带通过通讯接口与管式炉控制部分的触摸屏进行连接；步骤六.在触摸屏的编辑窗口输入料瓶的目标温度及加热时间；步骤七.先对管式炉进行加热，加热温度为800℃‑1000℃；步骤八.当管式炉温度达到设定温度后，运行料瓶的温控程序对料瓶进行加热，加热速率为15‑25℃/min，加热温度为180‑300℃，加热时间为10‑20min；步骤九.当料瓶达到设定温度后，开始向料瓶中通入Ar气，流量为100‑500sccm，开始进行二硫化钼薄膜生长；步骤十. 二硫化钼薄膜生长结束后，将管式炉以及料瓶温度降至室温，取出样品，经显微镜观察二硫化钼薄膜表面均匀性。