[发明专利]一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法有效
申请号: | 201510414886.9 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105140155B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 李海鸥;曹明民;林子曾;周佳辉;李琦;韦春荣;常虎东;张旭芳;肖功利;高喜 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 唐智芳 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法,包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤,其中:所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡,在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物;其次,由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮,解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题;再者,还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性,有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。 | ||
搜索关键词: | 液态蜡 高温蜡 减薄 强力粘合剂 衬底正面 光刻胶 石英 丙酮 去胶 粘片 电子束光刻胶 传统工艺 配方组成 碎片问题 传统的 有机物 有效地 粘附性 阻隔层 抛光 衬底 互溶 去除 易溶 粘贴 溶解 | ||
【主权项】:
一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法,包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤,其特征在于:所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成;具体是由Crystalbond 509强力粘合剂和丙酮按10~50g:40~100ml的配比组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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