[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510415396.0 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280778B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第III族氮化物半导体发光器件具有插入在第二半导体层与透明电极之间的绝缘多层膜。该绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器并且形成在包括通过将p电极投影至p型接触层所获得的投影区域的区中。绝缘多层膜具有第一区和第二区，其中第一区具有厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层，并且所述第二区具有厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层。在第二区中绝缘多层膜的第二表面包括具有朝着绝缘膜的第一表面凹陷的凹部的斜坡。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：具有第一导电类型的第一半导体层；设置在所述第一半导体层上的发光层；具有第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述发光层上；设置在所述第二半导体层上的透明电极；电连接至所述第一半导体层的第一电极；以及电连接至所述第二半导体层的第二电极；其中所述第III族氮化物半导体发光器件包括插入在所述第二半导体层与所述透明电极之间的绝缘多层膜，所述绝缘多层膜包括接触所述第二半导体层的第一表面和接触所述透明电极的第二表面；所述绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器，并且形成在包括通过将所述第二电极投影至所述第二半导体层所获得的投影区域的区中；所述绝缘多层膜包括第一区和第二区，其中所述第一区包括厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层，所述第二区包括厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层；以及在所述第二区中所述绝缘多层膜的所述第二表面包括具有朝着所述第一表面凹陷的凹部的斜坡。
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