[发明专利]一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法

摘要

一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法，先使PS纳米球溶液分散均匀后在水面预组装形成PS纳米球单层膜，然后将PS纳米球单层膜转移至经亲水性处理的样品表面，再在样品表面沉积金属，最后去除样品表面的PS纳米球，即得到共振峰位可调的金属纳米结构。本发明沉积的金属的厚度可以精确控制，能够精确控制金属纳米结构的尺寸，并且该方法可以根据需要选择沉积的具体金属材料，从而使得金属纳米结构的共振峰位可调，能够适应在不同应用中对不同共振峰位的要求。该方法的制备温度较低，避免了高温制备对光电子器件带来的负面影响，并且可以简化制备流程，降低溶液污染，能够保持样品表面的洁净度，从而对光电子器件的性能进一步提升。

主权项

一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)对样品表面进行亲水性处理；b)制备均匀分散的PS纳米球溶液：将PS纳米球分散液和无水乙醇按体积比为1:(1～10)混合，超声分散均匀，得到均匀分散的PS纳米球溶液；其中PS纳米球的直径为50nm～1000nm，PS纳米球分散液中PS纳米球的质量分数为5％～20％；c)PS纳米球在水面的预组装：将均匀分散的PS纳米球溶液滴加到经亲水性处理后的Si片上，再将该硅片以10～45°的倾斜角度伸入盛有去离子水的容器中，PS纳米球滑入去离子水中，在水面预组装形成PS纳米球单层膜；其中滴加到Si片上的PS纳米球溶液的体积V与容器中去离子水的表面积S的关系为V/S＝0.5～5μL/cm²；d)将PS纳米球单层膜转移至经步骤a)处理的样品表面，在样品表面得到单层自主装的PS纳米球结构；e)通过电子束蒸发、热蒸发或磁控溅射的方式在具有单层自主装的PS纳米球结构的样品表面沉积金属，沉积的金属的总厚度小于PS纳米球结构中PS纳米球的半径；f)将沉积金属后的样品表面的PS纳米球结构去除，即在样品表面得到共振峰位可调的金属纳米结构。