[发明专利]一种金线莲的培育方法

摘要

本发明公开了一种金线莲的培育方法，包括以下步骤步骤一，培养基的配制；步骤二，材料消毒处理；步骤三，诱导培养；步骤四，增殖生根培养；步骤五，移栽。本发明的金线莲的培育方法，茎段经过诱导培养15天可萌发出键壮的新芽；再经过增殖生根培养30‑50d，获得可移栽的植株，生根率高达99％，该方法培养增殖时间短、扩繁系数高、一次性成苗、苗健康、金线莲茎干植株粗大，根系发达，成活率高，叶片颜色深厚有明显的绒布状，叶脉线明晰，具有显著的经济效益，可以提供大面积种植的优良纯化组培苗，通过循环的进行诱导培养，可以加快培育的速度，不需要重复处理材料。

主权项

一种金线莲的培育方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，培养基的配制：诱导培养基：改良MS培养基+0.5mg/L 6‑BA+0.3mg/L IBA+50g/L香蕉浸提物；增殖生根培养基：采用改良MS培养基+0.6mg/L NAA+0.3mg/L IBA+50g/L香蕉浸提物；步骤二，材料消毒处理:将采集的金线莲用自来水冲洗干净，取2‑3厘米的主茎段，去除多余的叶片，置无菌水中刷洗干净，刷洗干净后，用75％的酒精消毒30s，加入氯化汞溶液处理10‑12min；再用无菌水冲4‑6遍；步骤三，诱导培养：将消毒后的材料接种于经高温、高压灭菌的诱导培养基中；培养条件：培养室温度为25±5℃，光照时间12h/d，光照强度500‑1000lx,芽诱导培养15天；得到丛生芽；步骤四，增殖生根培养：将经步骤三诱导培养所得到的丛生芽剪成1‑2厘米后接种在增殖生根培养基中；接种时将茎段平放在培养基上，经过30‑50d增殖生根培养，培养条件：培养室温度为25±5℃，光照时间12h/d，光照强度500‑1000lx；得到生根后的植株；步骤五，移栽：将生根后的植株转移到泥炭土和腐殖土混合成的基质中，培养温度25～30℃，湿度保持在60％‑75％之间，每天光照9～13小时，光照强度1500～2000lx。