[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510417407.9 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN105097837B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 王久石;刘圣烈;周婷婷;吕志军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板的制作方法包括在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层,还包括在所述衬底基板上形成反射层,所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状。本发明提供的阵列基板的制作方法,通过将反射层的表面设为凹凸不平状,使外界光能够在反射层的表面发生漫反射,从而能够有效提高反射层的光反射效果,实现液晶显示器显示效果的提升。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,包括在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极和钝化层,其特征在于,还包括在所述衬底基板上形成反射层,所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状;其中,所述反射层设置在所述钝化层的表面上,所述反射层与所述衬底基板之间还设置有金属层;在所述衬底基板上形成所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源漏极、所述钝化层和所述反射层包括:在所述衬底基板上依次形成所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层;在形成有所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层的衬底基板上采用铜材料形成源漏金属薄膜;采用半透膜曝光工艺在所述源漏金属薄膜上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶去除区域,其中,所述光刻胶完全保留区域对应所述源漏极的区域,所述光刻胶半保留区域对应所述反射层的区域;去除所述光刻胶去除区域的源漏金属薄膜;利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶;采用包含有卤素元素的物质对所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜进行等离子体处理,从而使所述光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜的表面形成凹凸不平状的结构;去除剩余的光刻胶,并依次形成所述钝化层和所述反射层,且所述钝化层以及所述反射层厚度均匀,从而使得所述反射层背向所述衬底基板的表面为凹凸不平状的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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