[发明专利]阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构有效
申请号: | 201510417412.X | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN104965366B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 许勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法及其结构。该方法将色阻层(30)制作于第一保护层(25)上,通过湿蚀刻制程将位于栅极(21)与源/漏极(24)上方区域内的色阻层(30)去除,再沉积覆盖色阻层(30)及第一保护层(25)的第二保护层(40);像素电极(50)形成于第二保护层(40)上,经由贯穿所述第二保护层(40)与第一保护层(25)的过孔(45)接触源/漏极(24);然后在经所述湿蚀刻制程去除色阻层(30)的区域内填充黑色矩阵材料,使用一道狭缝衍射光罩同时制作出黑色矩阵(60)及位于黑色矩阵(60)上与黑色矩阵(60)一体的间隙物(70),能够提高开口率,避免出现气泡,同时节省光罩,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 集成 液晶显示 面板 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种阵列彩膜集成式液晶显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供第一基板(10),在所述第一基板(10)上依次制作栅极(21)、栅极绝缘层(22)、半导体层(23)、及源/漏极(24),再通过沉积工艺形成覆盖源/漏极(24)、半导体层(23)、与第一基板(10)的第一保护层(25);步骤2、在所述第一保护层(25)上制作色阻层(30),通过湿蚀刻制程将位于所述栅极(21)与源/漏极(24)上方区域内的色阻层(30)去除;步骤3、通过沉积工艺形成覆盖色阻层(30)及第一保护层(25)的第二保护层(40),再蚀刻出贯穿所述第二保护层(40)与第一保护层(25)的过孔(45),暴露出源/漏极(24)的部分表面;步骤4、在所述第二保护层(40)上形成像素电极(50),所述像素电极(50)经由过孔(45)与所述源/漏极(24)接触;步骤5、在经所述步骤2去除色阻层(30)的区域内填充黑色矩阵材料,使用一道狭缝衍射光罩同时制作出遮挡所述栅极(21)与源/漏极(24)的黑色矩阵(60)及位于黑色矩阵(60)上与黑色矩阵(60)一体的间隙物(70);步骤6、提供第二基板(90),在所述第二基板(90)上制备公共电极(80),对组第一基板(10)和第二基板(90),在所述第一基板(10)和第二基板(90)之间灌入液晶(100),封装所述第一基板(10)和第二基板(90);所述步骤5中填充的黑色矩阵材料的厚度大于色阻层(30)的厚度。
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