[发明专利]硅单晶拉制方法在审
| 申请号： | 201510417457.7 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105063744A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李英涛;徐由兵;贾瑞峰;邹凯;高一凡;曾世铭 | 申请（专利权）人： | 包头市山晟新能源有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 刘春生;于宝庆 |
| 地址： | 014100 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 一种硅单晶拉制方法包括如下步骤：全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；然后将所述坩锅转开至引晶转速稳定熔体；引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶；放肩；转肩；等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长；收尾；以及停炉。采用本发明的方法拉制的硅单晶，单晶头部空位团明显减少，头部氧含量也较现有方法制备的单晶低，采用本发明的方法拉制硅单晶制备的电池不会出现黑心片问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 拉制 方法 | ||
【主权项】：
一种硅单晶拉制方法，其特征在于，包括以下步骤：全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；然后将所述坩埚转开至引晶转速稳定熔体；引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶；放肩；转肩；等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长；收尾；以及停炉。
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