[发明专利]一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法在审
申请号: | 201510418516.2 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN105140146A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 秦飞;孙敬龙;安彤;陈沛;宇慧平;王仲康;唐亮 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,属于集成电路测试领域。将直铝片平铺在真空吸盘上,电容传感器沿铝片半径分布在铝片上方,电容检测装置通过屏蔽线与铝片和电容传感器相连接,形成回路系统,以检测电容量。然后,标定出电容传感器电极板与铝片之间的距离H。大尺寸硅晶圆传输到铝片上方,利用吸盘吸附。由于晶圆(电介质)的存在,电容量发生变化,随着晶圆表面材料不断被磨削砂轮去除,电容量不断变化,通过对电容量变化的监测并且建立电容量与晶圆厚度之间的关系,实现在线实时监测磨削过程晶圆厚度。本发明操作方便简单,无污染,可实现对磨削晶圆不同位置厚度的在线实时监测。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 磨削 厚度 在线 测量方法 | ||
【主权项】:
一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法,其特征在于:晶圆传输到真空吸盘上吸附之前,先在吸盘(6)表面平铺直径大于晶圆直径的开孔铝片(7);然后将电容传感器(4)安装在传感器悬臂支架上(5),传感器探头与铝片之间距离(11)为1mm;采用屏蔽线(10)将铝片、电容传感器(4)和电容检测装置连接在一起,形成电容回路,标定出电容传感器电极板与铝片之间距离H;当晶圆(3)吸附在铝片上方时,电容量将发生变化;磨削过程随晶圆表面材料不断去除,晶圆厚度也随之发生变化,电容量也不断变化;建立电容量与晶圆厚度之间的关系,通过监测电容变化实现对晶圆厚度的实时全面监测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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