[发明专利]一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法有效
申请号: | 201510420054.8 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN105067168B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 秦飞;孙敬龙;安彤;陈沛;宇慧平;王仲康;唐亮 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G01L1/24 | 分类号: | G01L1/24;G01B11/22 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法,属于残余应力测试领域。其步骤包括提供磨削晶圆;高压水清洗晶圆;固定晶圆;确定腐蚀位置,进行腐蚀,清洗;分别利用白光干涉仪和激光拉曼光谱对腐蚀深度、残余应力进行测试;重复以上实验步骤即可获得磨削晶圆亚表面残余应力值。本发明操作简单、可较准确获得磨削晶圆亚表面残余应力,通过对测试结果分析,可提出磨削工艺优化方案。 | ||
搜索关键词: | 一种 磨削 晶圆亚 表面 残余 应力 测试 方法 | ||
【主权项】:
一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法,其特征在于,包括下列步骤:提供磨削后的单晶硅晶圆,清水冲洗晶圆表面,固定晶圆并用有机溶剂清洗;确定测试点,测试点位于<110>晶向,沿半径分布,至少3个测试点,第一测试点距晶圆圆心10‑15mm,第二测试点距第一测试点40‑60mm,第三测试点距第二测试点40‑60mm;利用“杨氏”溶液对每个测试点进行腐蚀,每个测点共腐蚀8次,每次腐蚀时间分别为2s、3s、4s、5s、10s、15s、25s、40s,每次腐蚀结束均用清水清洗腐蚀区以终止腐蚀;待腐蚀区干燥,首先利用白光干涉仪测量腐蚀深度,然后利用拉曼光谱测量残余应力。
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