[发明专利]高像素影像传感器封装结构及其制作方法

摘要

高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。

主权项

高像素影像传感器封装结构制作方法，其特征在于：该方法包括下述流程，S1准备一盖板(100)，通过均胶机在盖板第一表面(100a)上均匀涂布一层光刻胶，利用曝光显影工艺将需要制作收容空间的窗口打开，最后通过刻蚀工艺在盖板第一表面(100a)形成空腔；利用相似的工艺，在形成的空腔中再形成一个面积较小的通孔；S2将透明盖板(200)以单颗形式，使用拾取设备将其放置于盖板收容结构(101)中；S3通过均胶机在支撑盖板第一表面(300a)上均匀涂布一层光刻胶，利用曝光显影工艺将需要制作收容空间的窗口打开，然后通过刻蚀工艺在支撑盖板第一表面形成收容空间；利用相似的工艺，在形成的收容空间中再形成一个面积较小的空腔，最终形成具有阶梯状的收容结构；S4使用键合机台将放置有透明盖板(200)与支撑盖板第一表面(103a)上的键合胶互相键合在一起，此时透明盖板(200)置于盖板的收容结构(101)与支撑盖板的收容结构(301)共同形成的收容空间中；S5通过研磨机对支撑盖板第二表面(300b)进行研磨，减薄到设定厚度，留有一定厚度的支撑材料，再对支撑盖板第二表面(103b)进行干法刻蚀，露出支撑盖板收容结构(301)；S6晶圆第一表面为功能面，其上设置有钝化层(401)、元件区(403)及元件区周边的若干导电焊垫(402)；所述钝化层暴露导电焊垫(402)，所述元件区与导电焊垫(402)通过内部电路进行电性连接；将支撑盖板第二表面(300b)与晶圆第一表面通过键合胶互相键合起来，使元件区放置于支撑盖板收容结构(301)的中央位置；S7通过研磨机对晶圆第二表面进行研磨，减薄到设定厚度，并在减薄后对晶圆背面进行去应力等离子刻蚀；接着形成一开口(404)，然后铺设钝化层、线路层、保护层形成布线层(405)，最后植焊球(406)；S8对盖板第二表面(100b)进行研磨，减薄到设定厚度，留有一定厚度的盖板材料，再对盖板第二表面(100a)进行干法刻蚀，露出盖板第一表面形成的具有阶梯状的收容结构(101)；S9对封装完成的晶圆进行切割，分离为单颗芯片。