[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板，该方法采用固相结晶技术制备低温多晶硅层，与准分子激光晶化技术相比，更加节省成本，并且形成的晶粒均一性更好；同时引入双栅极结构，加强了栅极对沟道的控制，增大薄膜晶体管的开电流，减小关电流，抑制翘曲效应，降低阈值电压和亚阈值斜率，提高薄膜晶体管的驱动能力，同时顶栅极还可以起到遮光作用，减少沟道光致漏电现象的发生。本发明提供的一种TFT基板，其低温多晶硅层采用固相结晶方法制备，生产成本较低，并且该TFT基板还具有双栅极结构，使得薄膜晶体管的电性较好，驱动能力强，且不容易发生沟道光致漏电现象。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，对所述基板(1)进行清洗与预烘烤后，在所述基板(1)上沉积一缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，得到底栅极(3)；步骤3、在所述底栅极(3)、及缓冲层(2)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积非晶硅层(5)；步骤4、对所述非晶硅层(5)进行P型掺杂，得到位于上方的P型掺杂非晶硅层(52)、及位于所述P型掺杂非晶硅层(52)下方的未掺杂非晶硅层(51)；步骤5、采用固相结晶方法将所述未掺杂非晶硅层(51)、及P型掺杂非晶硅层(52)转化为未掺杂低温多晶硅层(61)、及P型掺杂低温多晶硅层(62)，采用一道光刻制程对所述未掺杂低温多晶硅层(61)、及P型掺杂低温多晶硅层(62)进行图案化处理，形成低温多晶硅岛(6)；步骤6、在所述低温多晶硅岛(6)、及栅极绝缘层(4)上方沉积第二金属层(7)，在所述低温多晶硅岛(6)的未掺杂低温多晶硅层(61)上定义出对应于所述底栅极(3)上方的沟道区(613)，采用一道光刻制程对该第二金属层(7)、及低温多晶硅岛(6)进行图案化处理，去除位于所述沟道区(613)上方的P型掺杂低温多晶硅层(62)、及第二金属层(7)，从而形成对应所述沟道区(613)两侧的源极(71)与漏极(72)、及第一P型掺杂低温多晶硅层(621)与第二P型掺杂低温多晶硅层(622)；所述源、漏极(71、72)分别与所述第一、第二P型掺杂低温多晶硅层(621、622)相接触；步骤7、在所述源、漏极(71、72)、沟道区(613)、及栅极绝缘层(4)上沉积钝化层(8)；步骤8、在所述钝化层(8)上沉积第三金属层，并对该第三金属层进行图案化处理，得到对应所述底栅极(3)的顶栅极(9)。