[发明专利]一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法，包含如下步骤硅片正面制作倒金字塔结构、硅片背面局部区域硼扩散、硅片正面栅指电极浓磷扩散、硅片正面淡磷扩散、硅片正面氧化硅(SiO2)减反射钝化层沉积、硅片背面氧化硅(SiO2)钝化层沉积、硅片背面光刻电极接触孔、硅片正面光刻栅指电极引线孔、硅片正面蒸镀栅指电极、硅片背面蒸镀铝电极、硅片正面电镀银和退火,形成太阳能电池。本发明通过在电池正面采用”倒金字塔”结构，使受光效果优于普通绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的Jsc。

主权项

一种钝化发射区背面局部扩散晶硅太阳能电池制备方法，其特征在于：包含如下步骤：(a)硅片正面制作倒金字塔结构；(b)硅片背面局部区域硼扩散；(c)硅片背面栅指电级浓磷扩散；(d)硅片正面淡磷扩散；(e)硅片正面氧化硅减反射钝化层沉积；(f)硅片背面氧化硅钝化层沉积；(g)硅片背面光刻电级接触孔；(h)硅片正面光刻栅指电级引线孔；(i)硅片正面蒸镀栅指电级；(j)硅片背面蒸镀铝电级；(k)硅片正面电镀银；(l)退火,形成太阳能电池；所述的步骤(a)采用化学溶液湿法刻蚀技术来实现，其中包含以下步骤：1.去损伤层：反应温度：80‑90℃，反应时间：2‑4min，NaOH：H20＝10‑15％wt；2.制绒：反应温度：70‑80℃，反应时间：20‑35min，NaOH：H2O＝1‑3％wt，C2H5OH：H2O＝4‑6％vol，Na2SiO3：H2O＝1‑2％wt；3.喷淋：水流速：10‑15L/min，反应时间：1‑3min；4.鼓泡漂洗：反应温度：65‑75℃，反应时间：3‑6min，使用HCl及HF；所述的步骤(b)、步骤(c)和步骤(d)是分别采用高温三溴化硼、高温三氯氧磷和次高温三氯氧磷扩散技术来实现，所述的扩散技术包含以下步骤：1、进炉预热；2、稳定稳流；3、氧化反应；4、三溴化硼或三氯氧磷扩散；5、稳态趋入；6出炉降温；所述的步骤(b)中进炉预热：反反应温度850℃，反应时间7min，大N2：9slm；稳定稳流：反应温度950℃，反应时间10min，大N2：9slm；氧化反应：反应温度950℃，反应时间12min，大N2：6slm，O2：500sccm；三溴化硼扩散：反应温度950℃，反应时间15min，大N2：6slm，O2：525sccm，BBr3：650sccm，小N2：100sccm；稳态趋入：反应温度980℃，反应时间2min，大N2：5slm，O2：2800sccm；出炉降温：反应温度650℃，反应时间15min，大N2：10L/min；所述的步骤(c)中进炉预热：反应温度800℃，反应时间6min，大N2：10slm；稳定稳流：反应温度850℃，反应时间12min，大N2：10slm；氧化反应：反应温度850℃，反应时间12min，大N2：5slm，O2：500sccm；三氯氧磷浓扩散：反应温度855℃，反应时间15min，大N2：6slm，O2：515sccm，POCL3：600sccm，小N2：100sccm；稳态趋入：反应温度900℃，反应时间3min，大N2：5slm，O2：2500sccm；出炉降温：反应温度700℃，反应时间15min，大N2：10L/min；所述的步骤(d)中进炉预热：反应温度780℃，反应时间5min，大N2：10slm；稳定稳流：反应温度815℃，反应时间10min，大N2：10slm；氧化反应：反应温度815℃，反应时间12min，大N2：6slm，O2：555sccm；三氯氧磷淡扩散：反应温度825℃，反应时间7min，大N2：6slm，O2：500sccm，POCL3：600sccm，小N2：100sccm；稳态趋入：反应温度850℃，反应时间2min，大N2：5slm，O2：2000sccm；出炉降温：反应温度650℃，反应时间13min，大N2：10L/min；所述的步骤(e)和步骤(f)采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术来实现，其的反应温度：425℃、沉积压强：200Pa、沉积功率：2800Watt、通入反应气体SiH4的体积流量：625sccm、N2O的流量：7.5slm，反应时间：960s。