[发明专利]一种次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510424710.1 申请日: 2015-07-20
公开(公告)号: CN105140349A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 邵明;佘金荣;戴国清 申请(专利权)人: 莆田市威特电子有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/028
代理公司: 北京精金石专利代理事务所(普通合伙) 11470 代理人: 刘晔
地址: 351111 福建省莆田市涵江区高*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明属于光伏能源技术领域,具体涉及一种次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法,包括以下步骤:(1)电池正极集成:激光划刻ITO导电玻璃;(2)涂覆集热层:涂覆集热材料,制成环形集热层;(3)硅基材料层沉积:依次沉积p型非晶硅层、i型非晶硅层和n型微晶硅层;(4)电池负极集成:激光划刻硅基材料层、镀铝膜、激光划刻铝膜;(5)保护背漆:在铝膜上丝印油墨;(6)丝印铜浆、引出电极;(7)绝缘处理等步骤。本发明制备方法可以提高电池稳定性,减弱光致衰退效应,提高太阳能转换效率,有效提高非晶硅电池的薄弱环节,并显著提升其应用价值。
搜索关键词: 一种 强光 非晶硅 太阳能 电池板 制备 方法
【主权项】:
一种次强光非晶硅太阳能电池板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)电池正极集成:选取ITO导电玻璃进行630nm激光划刻,然后脱模进行超声清洗;(2)涂覆集热层:在所得ITO导电玻璃四周涂覆集热材料,制成环形集热层;(3)硅基材料层沉积:对涂覆集热层后的ITO导电玻璃进行预热,然后进入PECVD程序进行沉积,沉积顺序依次为p型非晶硅层、i型非晶硅层和n型微晶硅层;(4)电池负极集成:用532nm激光划刻所得硅基材料层,然后进行超声清洗,再在所述硅基材料层上进行镀铝,然后532nm激光划刻所得铝膜,进行超声清洗;(5)保护背漆:在所得铝膜上进行丝印油墨,进行烘烤固化;(6)引出电极:进行丝印铜浆,引出前电极和背电极,然后再进行烘烤固化,即得太阳能电池板;(7)绝缘处理:在15wt%的ZnCl2水溶液中,加入稀盐酸调节pH值为4~5,超声震荡2~3min后得绝缘溶液;将所得太阳能电池板固定,取所配溶液涂抹于丝印的油墨层上,2~3min 之后,清洗去除,并快速干燥。
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