[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510424934.2 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711213B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;翁堂钧;陈建豪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含多个鳍状结构，一沟槽，一侧壁层以及一虚置栅极结构。该些鳍状结构是设置于一基底上。该沟槽是设置于该些鳍状结构之间。该侧壁层，设置在该沟槽的侧壁上，其中，该侧壁层具有一顶面，该顶面低于该鳍状结构的一顶表面。该虚置栅极结构是设置在该鳍状结构上且横跨该沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：多个鳍状结构，该鳍状结构是设置于一基底上；沟槽，是设置于该些鳍状结构之间；侧壁层，是设置在该沟槽的侧壁上，其中，该侧壁层具有一顶面，该顶面低于该鳍状结构的一顶表面；以及虚置栅极结构，设置在该鳍状结构上且横跨该沟槽。
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