[发明专利]低功耗高增益的循环型折叠式共源共栅放大器有效

专利信息
申请号: 201510426846.6 申请日: 2015-07-20
公开(公告)号: CN104980112B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 谢梦琳;朱樟明;田征;杨银堂;刘敏杰 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/30
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 代理人: 郭官厚
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种低功耗高增益的循环型折叠式共源共栅放大器,其特征在于,由主放大器和电导抵消电路组成,在主放大器中,交差耦合的N44、N45在总电流不变的前提下提高了放大器的等效跨导,进一步提高了放大器的增益;电导抵消电路由第一电导抵消电路CIRCUIT_P和第二电导抵消电路CIRCUIT_N组成,CIRCUIT_P(CIRCUIT_N)通过检测cascode管P8、P9(N12、N13)源端的节点电压并产生反馈电压控制负电导产生电路,使产生的负电导成为顶层PMOSP6、P7(底层NMOSN10、N11)电导gds的函数,跟随并抵消顶层PMOS(底层NMOS)的gds,如果PMOS和NMOS两侧分别完全抵消了顶层PMOS和底层NMOS的电导,则输出阻抗和直流增益无限,放大器的性能将得到明显的提高。
搜索关键词: 功耗 增益 循环 折叠式 共源共栅 放大器
【主权项】:
低功耗高增益的循环型折叠式共源共栅放大器,其特征在于,由主放大器和电导抵消电路组成,所述主放大器由P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9九个PMOS晶体管和N10、N11、N12、N13、N14、N15、N16、N17、N44、N45十个NMOS晶体管组成:P1的源端与P5的漏端相连,P1的漏端与N10的漏端、N12的源端共同连接在节点D;P2的源端与P5的漏端相连,P2的漏端与N11的栅端、N15的栅端、N17的漏端相连;P3的源端与P5的漏端相连,P3的漏端与N10的栅端、N14的栅端、N16的漏端相连;P4的源端与P5的漏端相连,P4的漏端与N11的漏端、N13的源端共同连接在节点C;P5的栅端连接到第四偏置电平Vb4;P6的漏端与P8的源端连接在节点A;P7的漏端与P9的源端连接在节点B;P8的漏端与N12的漏端共同连接在负输出端Vout‑;P9的漏端与N13的漏端共同连接在正输出端Vout+;N14的漏端与N16的源端相连;N15的漏端与N17的源端相连;N44的栅端与N15的漏端、N17的源端、N45的漏端相连,N44的漏端与N14的漏端、N16的源端、N45的栅端相连;N45的栅端与N14的漏端、N16的源端、N44的漏端相连,N45的漏端与N15的漏端、N17的源端、N44的栅端相连;所述P1、P2的栅端均连接到正输入端Vin+,P3、P4的栅端均连接到负输入端Vin‑;所述P6、P7的栅端均连接到第一偏置电平Vb1,P8、P9的栅端均连接到第二偏置电平Vb2,N12、N13的栅端均连接到第三偏置电平Vb3;所述P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9的衬底和P5、P6、P7的源端均连接到电源电压AVDD;所述N10、N11、N12、N13、N14、N15、N16、N17、N44、N45的衬底和N10、N11、N12、N13、N44、N45的源端均连接到接地端口AGND;所述电导抵消电路由PMOS晶体管一端的第一电导抵消电路CIRCUIT_P和NMOS晶体管一端的第二电导抵消电路CIRCUIT_N共同组成:所述第一电导抵消电路CIRCUIT_P由N18、N19、N20、N21、N22五个NMOS晶体管和P23、P24、P25、P26、P27、P28、P29、P30八个PMOS晶体管组成:N18的栅端与节点B相连,N18的源端与N19的源端共同连接到N20的漏端,N18的漏端与P23的漏端和栅端、P25的栅端共同连接到第一反馈信号节点va_fb;N19的栅端与节点A相连,N19的漏端与P24的漏端和栅端、P25的栅端共同连接到第二反馈信号节点vb_fb;N21的漏端与P25的漏端、P27的栅端、P29的栅端相连;N22漏端与P26的漏端、P28的栅端、P30的栅端相连;P27的漏端与P25的源端相连;P28的漏端与P26的源端相连;P29的漏端与节点A相连;P30的漏端与节点B相连;所述N21、N22、N23的栅端共同连接第五偏置电平Vb5;所述P23、P24、P27、P28、P29、P30的源端和P23、P24、P25、P26、P27、P28、P29、P30的衬底均接到电源电压AVDD;所述N20、N21、N22的源端和N18、N19、N20、N21、N22的衬底均接到接地端口AGND;所述第二电导抵消电路CIRCUIT_N由P31、P32、P33、P34、P35五个PMOS晶体管和N36、N37、N38、N39、N40、N41、N42、N43八个NMOS晶体管组成:P31的栅端与节点C相连,P31的源端与P32的源端共同连接到P33的漏端,P31的漏端与N36的漏端和栅端、N38的栅端共同连接到第四反馈信号节点vd_fb;P32的栅端与节点D相连,P32的源端与P31的源端共同连接到P33的漏端,P32的漏端与N37的漏端和栅端、N39的栅端共同连接到第三反馈信号节点vc_fb;P34的漏端与N38的漏端、N40的栅端、N42的栅端相连;P35的漏端与N39的漏端、N41的栅端、N43的栅端相连;N40的漏端与N38的源端相连;N41的漏端与N39的源端相连;N42的漏端与节点D相连;N43的漏端与节点C相连;所述P33、P34、P35的栅端共同连接第四偏置电平Vb4;所述P33、P34、P35的源端和P31、P32、P33、P34、P35的衬底均接到电源电压AVDD;所述N36、N37、N40、N41、N42、N43的源端和N36、N37、N38、N39、N40、N41、N42、N43的衬底均接到接地端口AGND。
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