[发明专利]堆叠器件的方法有效
| 申请号： | 201510427008.0 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105097567B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王宗鼎;李建勋;陈承先;赵智杰;李明机;郭祖宽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/52;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括暴露于后表面的第二穿透硅通孔结构和形成于前表面的多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料，其中，所述第二涂层材料在所述第二器件上方连续地延伸并且覆盖所述第二穿透硅通孔结构；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方，其中，所述第三器件包括第三穿透硅通孔结构；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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