[发明专利]自发光互补金属氧化物半导体影像传感器封装有效
| 申请号： | 201510427862.7 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104970756B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 雷俊钊;古安豪·G·查奥 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | A61B1/05 | 分类号： | A61B1/05;A61B1/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一微电子芯片包含与一发光二极管芯片整合的一互补金属氧化物半导体影像传感器。电路是建立在该芯片的上，以供共享电源方案。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 互补 金属 氧化物 半导体 影像 传感器 封装 | ||
【主权项】：
一种微电子芯片，承载互补金属氧化物半导体影像传感器，其改良包括：砷化镓(GaAs)基板，包括(i)第一部分，所述第一部分为互补金属氧化物半导体影像传感器的组件，以及(ii)第二部分，所述第二部分为发光二极管的组件，以下至少一个成立：(a)所述第一部分布植有第一元素，(b)所述第二部分布植有与第一元素不同的第二元素。
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