[发明专利]一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺有效
| 申请号： | 201510428011.4 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106702474B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;李磊;索思卓;李明飞;白杜娟 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/30 | 分类号： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺，首先可用于悬浮区熔法生长单晶硅的放肩阶段，当出现多晶刺时，将线圈向正、负极方向偏移以使腰变粗，降低多晶料的转速，在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶料的旋转方向；其次可用于悬浮区熔法生长单晶硅的等径保持阶段，当出现多晶刺时，将线圈向正、负极方向偏移，降低线圈功率以使腰变粗，降低多晶料的转速，在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶料的旋转方向。本发明通过采用消除多晶刺的生长工艺，降低了单晶失败的几率，提高了单晶寿命，进而增加了单晶的收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔硅单晶 生长 消除 多晶 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种区熔硅单晶生长中消除多晶刺的工艺，用于悬浮区熔法生长单晶硅的放肩阶段，其特征在于，当出现多晶刺时，将线圈向正、负极方向偏移以使腰变粗，降低多晶料的转速，在多晶刺通过线圈前刃口即线圈正、负极的对面时改变多晶料的旋转方向。
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