[发明专利]利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法

摘要

本发明公开了一种利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法，分为两部分，一部分制备压印模板：首先，SiO₂/Si片基底清洗干净；然后，基底经过正胶光刻、显影，得到阵列化的图形；接着用反应离子刻蚀机刻蚀光刻后的SiO₂/Si片基底；随后去胶，获得周期性排布的高低不一的模板；接着在SiO₂/Si片基底上旋涂全氟树脂，最后加热，压印模板制备完成。另一部分制备压印基底：首先，取一洗净的SiO₂/Si片；然后，用步进式精密升降台在基底上提拉出一层有机小分子膜，压印基底制备完成。最后，将压印模板盖在基底上，施加一定压力，再加热至该有机小分子的熔点，恒温15min后停止加热，降至室温后取出基底，便得到周期性、大面积的有机小分子单晶微米线图案化阵列。

主权项

 一种利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法，包括以下步骤：1）光刻：将洗净的基底依次涂光刻胶、光刻图形、显影；2）RIE刻蚀：将光刻显影后的基底进行刻蚀，然后去胶；3）疏水修饰：在步骤2）得到的基底上旋涂树脂，然后加热，形成压印模板；4）压印基底制备：另取一片基底，在其表面提拉一层有机小分子薄膜；5）压印：将步骤3）所得的模板覆盖在步骤4）得到的压印基底上，然后施加一定压力，加热至所述有机小分子熔点保持一段时间，然后降至室温，即得。