[发明专利]一种IGBT的制备方法有效
| 申请号： | 201510428457.7 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105140120B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;李向坤 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT芯片，包括背面导电缓冲层，导电缓冲层用镍酸镧透明氧化物制成，采用了镍酸镧透明氧化物制作导电缓冲层，其低电阻率特性降低了电流扩散层的厚度，因此一方面厚度的减少导致材料的减少，因而大大减少材料成本，另一方面，由于镍酸镧原材料的价格远低于钛/镍(Ti/Ni)复合金属缓冲层的价格，因此，使用镍酸镧透明氧化物制作的IGBT芯片与使用(Ti/Ni)复合金属缓冲层制作的IGBT芯片比较，降低了成本，再一方面，厚度的减少及制备方法的改进极大地提高了IGBT芯片的生产效率因而降低了IGBT芯片的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择衬底材料，衬底材料为N+(100)晶向，电阻率为0.001‑0.002ohm*cm的硅抛光片；外延层的厚度为4‑10um，且电阻率控制在0.1‑10ohm*cm；(2)IGBT正面结构制备：在硅材料上生长氧化层，注入硼，并对其推进；在氧化层上再淀积一层氮化硅或二氧化硅，涂上光致抗蚀剂，进行光刻构图，以暴露沟槽区域；刻蚀暴露区域的二氧化硅或氮化硅，并去除光致抗蚀剂，然后再刻蚀硅，形成沟槽，沟槽的深度0.8‑2.5um，沟槽宽度0.2‑2um；(3)IGBT背面用镍酸镧透明氧化物制作导电缓冲层，用旋涂法形成镍酸镧透明氧化物电极涂层，在氮气气氛下用150‑300℃烘干，完成镍酸镧透明氧化物电极的制备。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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